据辽宁省政府网站消息，8月10日，拓荆科技位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地完成主体封顶，项目建设迎来关键节点。该项目是辽宁省、沈阳市重点半导体产业项目，也是浑南区推动半导体产业集群发展、构建现代化产业体系的重大支撑。
项目由拓荆科技联合全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司共同投资建设，总投资近18亿元，占地面积147亩，总建筑面积15.6万平方米。项目规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室及综合配套设施，同步搭载先进生产管理系统，致力于打造集规模化、智能化、数字化、绿色化于一体的标杆工厂，建成后将成为拓荆科技全球核心研发制造中心，预计2028年正式投用。
作为高端半导体设备领域龙头企业，拓荆科技深耕薄膜沉积、三维集成领域设备研发与产业化应用，手握国际先进核心技术，产品广泛适配逻辑芯片、存储芯片、功率器件、硅光技术、图像传感器等多领域应用场景。截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，客户端累计流片量约6亿片。企业持续完善产业布局，全国研发制造基地总规模接近30万平方米。
项目建成后，沈阳作为拓荆科技总部基地，最大产能规模将达到每年1000余台，有力支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化和公司业务规模的持续扩大、新产品的研发创新与技术迭代，进一步巩固拓荆科技在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。