高带宽内存（HBM）是支持人工智能（Generative AI）的关键，随着高带宽内存（HBM）成为下一代内存半导体的主战场，三星电子（Samsung Electronics）和美光（Micron）之间正在酝酿激烈的竞争，以抢夺目前由SK hynix垄断的Nvidia订单。
中国台湾市场调查公司TrendForce 28日预测，英伟达将于下月完成对三星电子HBM3的验证。业界认为，三星电子目前正在向 Nvidia供应HBM3样品，三星电子将根据下个月的验证结果，获得正式合同。
Nvidia的图形处理器(GPU)，特别是高端的H100型号，是单价6000万韩元的高价产品。这种高盈利能力使英伟达成为存储半导体领域潜在的游戏规则改变者。在HBM市场占据主导地位的SK海力士从去年开始向英伟达独家供应HBM3，领先于三星电子。因此，SK海力士与DRAM市场领头羊三星电子的市场占有率差距缩小了4.4个百分点。SK海力士的DRAM事业因HBM和DDR5等高价值产品的业绩，在今年第三季度和第四季度实现了盈利。
美国半导体企业美光(Micron)将于明年量产第五代HBM3E产品，因此业界预测，HBM领域将爆发“三国大战”。预计这三家公司将为英伟达即将推出的H200和B100人工智能半导体所需的HBM3E供应展开激烈竞争。
据报道，英伟达计划将其HBM供应商多样化，以提高供应链管理效率，SK海力士的主导地位可能会结束，迎来一个无限竞争的时代。据TrendForce透露，从7月开始，SK海力士(8月)、三星电子(10月)等3家企业陆续提供了HBM3E样品。考虑到英伟达通常需要大约6个月的时间来验证HBM样品，预计供应量的轮廓将在明年出现。
三星证券分析师Hwang Min-sung表示：“SK海力士的HBM从今年第2季度和第4季度开始与竞争对手形成了明显的差距，第三季度和第4季度差距进一步扩大。与通常需要1.5 ~ 2年的存储器不同，HBM只需1年就能完成转换，这为市场领导者SK hynix带来了优势。”最近，SK海力士与三星电子的DRAM市场占有率差距缩小到了4.4个百分点。
去年10月，三星电子在美国硅谷举行的“存储器技术日”上，公开了“Shinebolt”HBM3E DRAM，并表示将以集成器件制造商(IDM)的形式，通过“端到端”生产扩大市场占有率。另外，三星电子存储器事业部DRAM开发本部长Sang-jun Hwang上月透露，目前正在开发第六代DRAM HBM4，目标是到2025年供应。